對(duì)于電子實(shí)驗(yàn)室的環(huán)境溫濕度，RB/T 047-2020 《檢驗(yàn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)管理和技術(shù)能力評(píng)價(jià) 設(shè)施和環(huán)境通用要求》里面對(duì)實(shí)驗(yàn)室的溫濕度確實(shí)有規(guī)定（6.2.1 環(huán)境溫度16-26℃，相對(duì)濕度30%-65%），但是這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是針對(duì)整個(gè)行業(yè)的，沒有考慮電子實(shí)驗(yàn)室的特殊性。

在可靠性工程領(lǐng)域，壽命加速模型是預(yù)測(cè)產(chǎn)品壽命的關(guān)鍵工具。通過合理選擇加速模型，可將傳統(tǒng)耗時(shí)數(shù)年的壽命試驗(yàn)縮短至幾周，顯著提升研發(fā)效率。

“85/85”組合其實(shí)是行業(yè)長期經(jīng)驗(yàn)和標(biāo)準(zhǔn)共識(shí)的產(chǎn)物，有其科學(xué)和工程上的合理性。

后硅芯片測(cè)試方法是指在芯片封裝完成后進(jìn)行的測(cè)試，旨在檢測(cè)芯片的功能、性能和可靠性。

wafer chuck，即晶圓卡盤，是半導(dǎo)體設(shè)備中用于固定和支撐晶圓的關(guān)鍵部件，為晶圓在各種加工工藝中提供穩(wěn)定的承載平臺(tái)，確保晶圓在加工過程中的位置精度和穩(wěn)定性。

wafer chuck作為半導(dǎo)體設(shè)備中的關(guān)鍵部件，其性能的優(yōu)劣直接影響著半導(dǎo)體制造的質(zhì)量和效率。

ICP與CCP的差異本質(zhì)在于能量耦合方式，二者在先進(jìn)制程中形成互補(bǔ)。

Bscan是一種用于芯片測(cè)試和調(diào)試的技術(shù)，主要用于檢測(cè)和診斷芯片內(nèi)部或PCB（印刷電路板）上的互連故障。

在測(cè)試IOH、IOL的時(shí)候是需要設(shè)置VOL、VOL。 在測(cè)試VOH、VOL的時(shí)候是需要設(shè)置IOH、IOL。

HAST 130℃ 85%RH 96h的實(shí)驗(yàn)條件強(qiáng)度是要高于THB 85℃ 85%RH 的1000h的。

在 ICP 刻蝕設(shè)備中，感應(yīng)線圈一般位于反應(yīng)腔室的上方或周圍，當(dāng)射頻電流通過線圈時(shí)，會(huì)產(chǎn)生周期性變化的磁場(chǎng)。

可靠性試驗(yàn)是指通過試驗(yàn)測(cè)定和驗(yàn)證產(chǎn)品的可靠性。研究在有限的樣本、時(shí)間和使用費(fèi)用下，找出產(chǎn)品薄弱環(huán)節(jié)?？煽啃栽囼?yàn)是為了解、評(píng)價(jià)、分析和提高產(chǎn)品的可靠性而進(jìn)行的各種試驗(yàn)的總稱。

數(shù)字邏輯測(cè)試（Digital Logic Testing）主要用于檢測(cè)芯片的數(shù)字電路部分，確保其邏輯功能、時(shí)序特性和結(jié)構(gòu)完整性。

環(huán)境應(yīng)力篩選（Environment Stress Screen，ESS）通過向電子或機(jī)電產(chǎn)品施加在設(shè)計(jì)范圍之內(nèi)的合理的環(huán)境應(yīng)力（如溫循、隨機(jī)振動(dòng)等）或電應(yīng)力，將其內(nèi)部的潛在缺陷加速暴露出來的過程。

Burn-in是一種專門設(shè)計(jì)的測(cè)試向量，用于在芯片老化測(cè)試過程中激活芯片內(nèi)部的各個(gè)模塊，確保芯片在高溫、高電壓等加速應(yīng)力條件下能夠正常工作，從而提前發(fā)現(xiàn)潛在的缺陷和故障，提高芯片的可靠性和質(zhì)量。

在微電子器件的可靠性驗(yàn)證中，溫度循環(huán)（Temperature Cycling, TC）與熱沖擊（Thermal Shock, TS）是兩項(xiàng)至關(guān)重要的環(huán)境應(yīng)力測(cè)試。

三溫測(cè)試是指對(duì)芯片在三種不同溫度條件下（常溫、低溫、高溫）進(jìn)行的性能測(cè)試，旨在全面評(píng)估芯片在不同環(huán)境溫度下的可靠性和穩(wěn)定性。

PCW系統(tǒng)（Process Cooling Water System）即工藝?yán)鋮s水系統(tǒng)，亦稱制程冷卻水系統(tǒng)，是工業(yè)生產(chǎn)中為設(shè)備和機(jī)械提供冷卻的關(guān)鍵水循環(huán)系統(tǒng)?。

在電子產(chǎn)品可靠性測(cè)試領(lǐng)域，HAST和PCT是兩種常用的高溫高濕加速老化測(cè)試方法。

THB(雙85)、BHAST、UHAST到底有哪些區(qū)別？HAST與THB可以進(jìn)行選擇性驗(yàn)證；如果做了THB或者HAST，則UHAST可以不做。

ChillerZC209是一臺(tái)對(duì)循環(huán)液進(jìn)行溫度控制并輸出冷熱液的裝置。具有溫度穩(wěn)定性高、溫度范圍廣、故障自診斷、外部通信等豐富功能。

為了研究銅（Cu）互連與不同化學(xué)性質(zhì)玻璃基板的兼容性和可靠性，我們?cè)诓煌ＡЩ迳现苽淞算~測(cè)試結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了有偏置的高加速應(yīng)力測(cè)試（HAST）。

晶圓探針臺(tái)的工作原理是通過一組微型探針與芯片的測(cè)試點(diǎn)接觸，以實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸和測(cè)量。這些探針通常由金屬材料制成，能夠在微米級(jí)別的精度下進(jìn)行定位。

TC系列是一款溫度范圍為-65℃(-55℃)到200℃氣冷型高低溫卡盤系統(tǒng)，主要由氣冷高低溫卡盤和氣冷溫控器組成。

探針臺(tái)是一種晶圓探針測(cè)試設(shè)備，探針測(cè)試在半導(dǎo)體器件制造流程具有重要的地位，通過探針測(cè)試，可及時(shí)發(fā)現(xiàn)晶圓中性能異常的晶粒，減少后續(xù)工序的加工耗費(fèi)。

環(huán)境應(yīng)力篩選（Environmental Stress Screening, ESS）試驗(yàn)是一種通過模擬產(chǎn)品在極端環(huán)境條件下的使用情況，來檢測(cè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造過程中可能存在的潛在缺陷的測(cè)試方法。

熱壓鍵合 (TCB)?工藝是先進(jìn)封裝中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，它能夠集成高密度組件，如 3D 堆疊芯片和高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM)。

半導(dǎo)體設(shè)備chiller即半導(dǎo)體冷卻器，是一種用于半導(dǎo)體制造過程中對(duì)設(shè)備或工藝進(jìn)行冷卻的裝置。

集成電路測(cè)試是在集成電路制造過程中和制造完成后對(duì)集成電路芯片進(jìn)行功能和性能驗(yàn)證的過程，以確保其質(zhì)量和可靠性。

在半導(dǎo)體晶體管尺寸越來越小、芯片功能日益復(fù)雜的趨勢(shì)下，系統(tǒng)級(jí)測(cè)試（簡稱 SLT）變得至關(guān)重要。

芯片老化試驗(yàn)是一種對(duì)芯片進(jìn)行長時(shí)間運(yùn)行和負(fù)載測(cè)試的方法，以模擬芯片在實(shí)際使用中的老化情況。

ATE機(jī)臺(tái)根據(jù)測(cè)試芯片的類型不同，可分為存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)、數(shù)字電路測(cè)試系統(tǒng)、模擬電路測(cè)試系統(tǒng)和混合信號(hào)電路測(cè)試系統(tǒng)四大類。

分選機(jī)和探針臺(tái)是將芯片的引腳與測(cè)試機(jī)的功能模塊連接起來并實(shí)現(xiàn)批量自動(dòng)化測(cè)試的專用設(shè)備。

ThermoTST熱流儀可為測(cè)試機(jī)提供相應(yīng)溫度環(huán)境，搭配測(cè)試機(jī)做功率器件特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)。

HTOL與LTOL測(cè)試都是為了加速集成電路在極端溫度條件下的老化過程，從而快速識(shí)別潛在的失效模式。

在可靠性測(cè)試領(lǐng)域，有許多常見的英文縮寫及其對(duì)應(yīng)的描述。

原子層蝕刻（Atomic Layer Etching, ALE）是一種高精度的刻蝕技術(shù)，可以視為原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）的逆向過程。

功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。

TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶體管）的可靠性評(píng)測(cè)是一個(gè)綜合性的評(píng)估過程，是確保TFT液晶屏等電子產(chǎn)品質(zhì)量和性能穩(wěn)定的重要環(huán)節(jié)。

CP測(cè)試是指在晶圓還未切割和封裝之前，直接在晶圓上對(duì)每一個(gè)芯片單元（Die）進(jìn)行的電性和功能性測(cè)試。

集成電路測(cè)試是確保芯片質(zhì)量的關(guān)鍵步驟，其中最主要的兩類測(cè)試是CP測(cè)試（Chip Probing）和FT測(cè)試（Final Test）。

探針卡在集成電路測(cè)試中的作用至關(guān)重要。它不僅是ATE與晶圓之間的接口，也是確保芯片良率和質(zhì)量的重要工具。

參數(shù)測(cè)試通常是在晶圓片制造過程完成后 (即已進(jìn)行了鈍化) 和對(duì)產(chǎn)品裸片的電氣性能分選(電分選)前執(zhí)行。

每一顆功率芯片都要進(jìn)行指標(biāo)測(cè)試，每一張晶圓都要進(jìn)行篩選測(cè)試。在片的篩選測(cè)試必須要具備的是晶圓自動(dòng)化測(cè)試夾具，即自動(dòng)化高壓探針臺(tái)，以及靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀表。

在芯片的規(guī)格書中，對(duì)散熱設(shè)計(jì)最有幫助的有三個(gè)值：功耗，溫度要求和熱阻參數(shù)。

封測(cè)在集成電路領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。具體可以分為：晶圓測(cè)試、芯片封裝、芯片終測(cè)、系統(tǒng)級(jí)測(cè)試4個(gè)階段。

接觸式高低溫沖擊機(jī)，能滿足高溫或者低溫條件下帶電測(cè)試需求，系統(tǒng)可以在IC上提供快速和準(zhǔn)確的溫度轉(zhuǎn)換。

Mechanical Devices開發(fā)生產(chǎn)并向主要半導(dǎo)體器件制造商提供創(chuàng)新的成本效益熱控制單元，以測(cè)試IC器件。

高加速提升測(cè)試和高加速應(yīng)力篩選是什么意思呢？它們與老化測(cè)試有何不同？

老化測(cè)試是篩選和檢測(cè)其產(chǎn)品中任何高潛在故障的最佳方法。

測(cè)試過程中使用的老化測(cè)試類型將取決于不同的要求。如果不確定哪種測(cè)試方法最適合，可以參照以下三種不同類型的可用測(cè)試及其優(yōu)缺點(diǎn)，來選擇適用的方法。

準(zhǔn)分子（最初是激發(fā)二聚體的簡稱）是由兩種物質(zhì)形成的短壽命二聚體或異二聚體分子，其中至少一種物質(zhì)的價(jià)殼層被電子完全填充（例如，惰性氣體）。

通過進(jìn)行老化測(cè)試來復(fù)制實(shí)際的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)力環(huán)境有助于降低故障率。老化測(cè)試對(duì)于確保生產(chǎn)線的質(zhì)量控制至關(guān)重要。

驗(yàn)證一個(gè)產(chǎn)品的工作壽命最直接的方法就是直接模擬它實(shí)際受到的工作環(huán)境，觀察它正常工作的時(shí)間。

SOC測(cè)試是保證芯片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵步驟。隨著SOC集成度的提高，測(cè)試復(fù)雜性也顯著增加，需要更多的測(cè)試向量和時(shí)間。

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、集成電路和其他電子設(shè)備的設(shè)計(jì)、制造和可靠性測(cè)試過程中。

集成電路測(cè)試的基本原則是通過測(cè)試向量對(duì)芯片施加激勵(lì)，測(cè)量芯片響應(yīng)輸出(response)，與事先預(yù)測(cè)的結(jié)果比較。

靜電卡盤就是一個(gè)典型的細(xì)分零部件市場(chǎng)，其在半導(dǎo)體制造工藝的多個(gè)環(huán)節(jié)扮演著重要作用。

HBM 制造的關(guān)鍵是TSV 工藝，它的目的是會(huì)在芯片上打孔。

靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)，應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力(EOS: Electrical Over Stress)破壞的主要元兇

光電子器件是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，是光電子技術(shù)的關(guān)鍵和核心部件。

400G光模塊主要用于光電轉(zhuǎn)換，電信號(hào)在發(fā)送端被轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，然后通過光纖傳輸，在接收端，光信號(hào)被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。

雙85試驗(yàn)是一種環(huán)境應(yīng)力加速試驗(yàn)，通常在溫度85℃、濕度85%RH的條件下進(jìn)行。這種試驗(yàn)主要用于評(píng)估產(chǎn)品在高溫高濕環(huán)境下的性能和穩(wěn)定性。

通過使用SLT在仿真的終端環(huán)境中對(duì)待測(cè)芯片進(jìn)行功能測(cè)試，設(shè)備制造商可以預(yù)防使用傳統(tǒng)晶圓和封裝測(cè)試技術(shù)難以檢測(cè)到的漏檢故障。

HAST測(cè)試是一種用于評(píng)估產(chǎn)品在高溫、高濕以及高壓條件下的可靠性和壽命的測(cè)試方法。

系統(tǒng)級(jí)測(cè)試（SLT）是指在仿真的終端使用場(chǎng)景中對(duì)待測(cè)芯片（DUT）進(jìn)行測(cè)試。

芯片HAST測(cè)試是一種用于評(píng)估產(chǎn)品在高溫、高濕以及高壓條件下的可靠性和壽命的測(cè)試方法。

ZONGLEN 熱流儀可兼容市面上各品牌光學(xué)檢測(cè)設(shè)備，完成再電高低溫環(huán)境下的光學(xué)性能測(cè)試，是光學(xué)檢測(cè)設(shè)備必不可少的組成之一。

常見的非恒定應(yīng)力譜和組合應(yīng)力包括：步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)；漸進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)；?高加速壽命試驗(yàn)（HALT）（設(shè)備級(jí)）；高加速應(yīng)力篩選（HASS）（設(shè)備級(jí)）；高加速溫度和濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）（零件級(jí)）。

光模塊作為光通信中的重要組成部分，是實(shí)現(xiàn)光信號(hào)傳輸過程中光電互相轉(zhuǎn)換的光電子器件。

在劃片之前必須經(jīng)過的CP芯片測(cè)試，一方面驗(yàn)證IC各項(xiàng)參數(shù)及功能是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求，另一方面把參數(shù)或功能失效的IC從中標(biāo)示出來。

隨著IC產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，其中測(cè)試的精確度及穩(wěn)定性是兩大難題，尤其在量產(chǎn)ATE測(cè)試時(shí)表現(xiàn)更為嚴(yán)重。

IC測(cè)試主要的目的是將合格的芯片與不合格的芯片區(qū)分開，保證產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。

在AECQ100車規(guī)認(rèn)證流程中，很多的實(shí)驗(yàn)前后都需要進(jìn)行常溫或者高低溫的測(cè)試。

加速試驗(yàn)?zāi)Ｐ褪菍?duì)產(chǎn)品在正常應(yīng)力水平下以及一個(gè)或多個(gè)加速應(yīng)力水平下的關(guān)鍵因素進(jìn)行試驗(yàn)而導(dǎo)出的。

HAST測(cè)試被廣泛應(yīng)用于各種芯片產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)過程中，包括微處理器、存儲(chǔ)芯片、傳感器芯片等

加速試驗(yàn)是指在保證不改變產(chǎn)品失效機(jī)理的前提下，通過強(qiáng)化試驗(yàn)條件，使受試產(chǎn)品加速失效，來評(píng)估產(chǎn)品在正常條件下的可靠性或壽命指標(biāo)。

HAST加速老化技術(shù)是一種在芯片行業(yè)常用的測(cè)試方法，用于模擬芯片在實(shí)際使用中可能遇到的極端環(huán)境和高溫高濕的工作環(huán)境，以檢驗(yàn)芯片的可靠性和壽命。

IGBT是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于大功率應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。

光模塊對(duì)單板體現(xiàn)的主要性能指標(biāo)共同決定了光模塊的性能和適用范圍。

浸沒式液冷是指將發(fā)熱的電子元器件（如CPU、GPU、內(nèi)存和硬盤等）浸沒在冷媒（冷卻液）中，依靠液體流動(dòng)循環(huán)帶走熱量。

光子集成電路（PIC）是利用光子學(xué)原理實(shí)現(xiàn)信息傳輸和處理的電路，它可以在高速、大帶寬和低能耗的條件下實(shí)現(xiàn)高效的信息傳輸和處理。

晶圓背冷基本上用的是氦氣冷卻，因?yàn)闅庀嗟暮饩哂型怀龅幕瘜W(xué)惰性，且熱導(dǎo)率、比熱容均大于除氫氣以外的任何其他氣體。

光模塊能耗的激增給數(shù)據(jù)中心的成本端帶來巨大壓力，解決其能耗問題成為當(dāng)下光模塊技術(shù)更新的關(guān)鍵。

溫度循環(huán)試驗(yàn)、溫度沖擊試驗(yàn)和熱沖擊試驗(yàn)等，被用于模擬和評(píng)估光模塊在高低溫沖擊下的性能表現(xiàn)。

車規(guī)級(jí)汽車電子比較相關(guān)的就是 AEQ 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。AEC-Q100 是一種基于封裝集成電路應(yīng)力測(cè)試的失效機(jī)制。

光模塊又稱光收發(fā)一體模塊，是實(shí)現(xiàn)光通信系統(tǒng)中光信號(hào)和電信號(hào)轉(zhuǎn)換的核心部件，主要由光器件、功能電路和光接口等構(gòu)成。

車規(guī)級(jí)芯片作為汽車的核心組成部分，對(duì)車規(guī)級(jí)芯片進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試，是確保汽車質(zhì)量和安全性的重要手段。

HAST高加速壽命試驗(yàn)箱，主要用于評(píng)估在濕度環(huán)境下產(chǎn)品或者材料的可靠性

AEC-Q為車用可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)車載芯片進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性確認(rèn)，特別是對(duì)產(chǎn)品功能與性能進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范測(cè)試。

高低溫試驗(yàn)箱零配件維護(hù)保養(yǎng)在全部維護(hù)保養(yǎng)中占十分關(guān)鍵的一部分，日常維護(hù)保養(yǎng)不可忽視。

兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱是一種用于測(cè)試產(chǎn)品耐受能力的設(shè)備，通過不斷變換溫度，檢測(cè)產(chǎn)品是否出現(xiàn)受損情況。

接觸式高低溫沖擊機(jī)ThermoTST ATC系列采用先進(jìn)的設(shè)計(jì)和技術(shù)，具有廣泛的溫度范圍

晶圓溫循可靠性測(cè)試的種類和測(cè)試條件

晶圓背冷技術(shù)作為一種有效的溫度管理手段，不僅保證了晶圓溫度的均勻性，還增強(qiáng)了晶圓處理過程中的穩(wěn)定性。

HASS也稱高加速應(yīng)力篩選實(shí)驗(yàn)，目的是為了使得生產(chǎn)的產(chǎn)品不存在任何隱含的缺陷或者在產(chǎn)品還沒出廠前找到并解決這些缺陷。

溫度偏差：試驗(yàn)箱（室）穩(wěn)定狀態(tài)下，工作空間各測(cè)量點(diǎn)在規(guī)定時(shí)間內(nèi)實(shí)測(cè)最高溫度和最低溫度與設(shè)定溫度的上下偏差。

氣處理裝置的目標(biāo)是降低廢氣中的有害物質(zhì)濃度，確保排放符合環(huán)境法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)，保護(hù)環(huán)境和人類健康。

真空吸盤主要有非熱卡盤和熱卡盤兩種類型。熱卡盤具有整體加熱或冷卻功能，可在加工過程中將晶圓保持在特定溫度。

TC高溫循環(huán)測(cè)試意義在于證實(shí)極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí)，機(jī)械應(yīng)力對(duì)于器件焊接性能的作用。

隨著設(shè)計(jì)規(guī)則的縮小，許多蝕刻工藝都轉(zhuǎn)向了非常快速的等離子體蝕刻工藝步驟，這些步驟需要對(duì)所有反應(yīng)輸入進(jìn)行高度精確的控制。

等離子體蝕刻可能是半導(dǎo)體制造中最重要的工藝，也可能是僅次于光刻的所有晶圓廠操作中最復(fù)雜的。

HALT不是通過/失敗測(cè)試，而是對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行的一系列測(cè)試，以幫助提高產(chǎn)品的可靠性。

在芯片設(shè)計(jì)階段，就需要根據(jù)各自芯片的規(guī)格參數(shù)規(guī)劃好測(cè)試內(nèi)容和測(cè)試方法。

ThermoTST TS560溫度測(cè)試范圍-70℃到+225℃，滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的各個(gè)等級(jí)環(huán)境工作溫度范圍。

芯片測(cè)試一般會(huì)分2大步驟，一個(gè)叫CP(Chip Probing)，一個(gè)叫FT(Final Test)。CP是針對(duì)晶圓的測(cè)試，F(xiàn)T是針對(duì)封裝好的芯片的測(cè)試。

ThermoTST高低溫循環(huán)沖擊機(jī)建議每 12 個(gè)月進(jìn)行一次保養(yǎng)及溫度校準(zhǔn)工作，更換如濾芯之類的耗材，時(shí)間間隔也取決于設(shè)備的應(yīng)用環(huán)境和使用時(shí)間。

在測(cè)試機(jī)和探針臺(tái)之間建立一組穩(wěn)定的信號(hào)連接關(guān)系，則需要臨時(shí)將被測(cè)試器件實(shí)際安裝在半導(dǎo)體測(cè)試裝置上，通過半導(dǎo)體測(cè)試裝置上設(shè)置的信號(hào)組件與被測(cè)試之間輸入輸出測(cè)試信號(hào)來執(zhí)行測(cè)試

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作已成為各行各業(yè)中不可或缺的重要組成部分，其中一些常見的術(shù)語及其含義能更好地理解半導(dǎo)體芯片的工作原理。

WAT又稱WAT工藝控制監(jiān)測(cè)，是通過測(cè)試晶圓上特定測(cè)試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，檢測(cè)每片晶圓產(chǎn)品的工藝情況，評(píng)估半導(dǎo)體制造過程的質(zhì)量和穩(wěn)定性，判斷晶圓產(chǎn)品是否符合該工藝技術(shù)平臺(tái)的電性規(guī)格要求。

車規(guī)級(jí)芯片，是應(yīng)用到汽車中的芯片，不同于消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)，該類芯片對(duì)可靠性要求更高

高低溫?zé)崃鲀x到貨后，必須要進(jìn)行五大檢查后方可放心使用，最后一個(gè)尤為重要！

環(huán)境噪聲制訂標(biāo)準(zhǔn)的依據(jù)是環(huán)境基本噪聲。各國大都參考ISO推薦的基數(shù)（例如睡眠為30分貝），根據(jù)不同時(shí)間、不同地區(qū)和室內(nèi)噪聲受室外噪聲影響的修正值以及本國具體情況來制訂。

ThermoTST系列高低溫?zé)崃鲀x如何操作？三步就能熟練操作高低溫?zé)崃鲀x！

半導(dǎo)體顯微鏡品牌擁有著出色的性能、精確的分析和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

在晶圓制造完成之后，晶圓測(cè)試是一步非常重要的測(cè)試。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（die sort）或晶圓電測(cè)（wafer sort）。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。

針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu) 提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案已成功應(yīng)用在 商用功率器件上。

光通訊、芯片、集成電路、實(shí)驗(yàn)室研究等領(lǐng)域在可靠性測(cè)試過程中多項(xiàng)測(cè)試要求都需要搭載高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)來完成

功率半導(dǎo)體作為電力電子系統(tǒng)的核心組成部分，已經(jīng)廣泛應(yīng)用到生活、交通、電力、工業(yè)控制、航空航天、艦船等領(lǐng)域。

高導(dǎo)熱封裝材料及連接工藝、去鍵合線連接、大面積面接觸、多散熱路徑同時(shí)縮短散熱路程、降低散熱路徑的熱阻等可能是未來高壓高溫大功率器件封裝應(yīng)具備的關(guān)鍵特征。

為分析時(shí)鐘芯片的各項(xiàng)特性，高低溫循環(huán)沖擊機(jī)與其測(cè)試設(shè)備搭配，提供快速可靠的溫度環(huán)境。

隨著航空航天、汽車電子、軍用、光伏、工業(yè)自動(dòng)化等許多領(lǐng)域技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片在各種極端溫度環(huán)境下的應(yīng)用也越來越廣泛。

ThermoTST TS760高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用于產(chǎn)品的特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)

密封元器件在生產(chǎn)過程中有一個(gè)容易被生產(chǎn)方忽略并導(dǎo)致后續(xù)使用過程中引發(fā)元器件失效的風(fēng)險(xiǎn)，就是密封元器件內(nèi)部出現(xiàn)的多余微小松散顆粒。

中冷高低溫沖擊設(shè)備廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信芯片、微電子器件、集成電路等行業(yè).

存儲(chǔ)器芯片在電子系統(tǒng)中負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，是半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品的核心，其存儲(chǔ)量與讀取速度直接影響電子設(shè)備性能。

芯片測(cè)試幾乎都離不開溫度沖擊試驗(yàn)，IGBT需要用溫度沖擊試驗(yàn)機(jī)做一些環(huán)境可靠性試驗(yàn)。

芳菲四月天，春光無限好，正是活動(dòng)時(shí)，在這個(gè)春意盎然的季節(jié)。

電子元器件測(cè)試篩選服務(wù)提高產(chǎn)品使用可靠性，特別是針對(duì)進(jìn)口元器件，通過“二次篩選”保證產(chǎn)品質(zhì)量可控，提高裝備整體可靠性。

IGBT?損耗特性和溫度息息相關(guān),因此標(biāo)定出常 溫?25 ℃?和高溫?125 ℃?時(shí)的損耗值作為基礎(chǔ),并在?25 ℃和?125 ℃參數(shù)基礎(chǔ)上,通過線性化處理,獲得 全溫度范圍的損耗數(shù)據(jù)

在高低溫條件與駐留時(shí)間目前新的規(guī)范會(huì)要求是依據(jù)測(cè)試品表面溫度，而不是試驗(yàn)設(shè)備測(cè)試區(qū)的空氣溫度。

半導(dǎo)體業(yè)的一個(gè)不可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)是芯片復(fù)雜度持續(xù)提高，對(duì)芯片測(cè)試提出了更高的要求。

ThermoTST熱流儀搭配閂鎖測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行靜電測(cè)試增強(qiáng)的數(shù)據(jù)集功能提供了靈活性，以滿足當(dāng)今系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)的測(cè)試需求。

Commercial、Industrial、Automotive是業(yè)界對(duì)芯片行業(yè)的簡單劃分，各自領(lǐng)域?qū)煽啃缘囊笠踩徊煌?/p>

隔熱風(fēng)罩在冷熱沖擊機(jī)系統(tǒng)中是一個(gè)很重要的組成部分，通常是用來防止環(huán)境空氣進(jìn)入，創(chuàng)建一個(gè)封閉的，可重復(fù)的，熱傳遞環(huán)境。

在芯片的國產(chǎn)化浪潮下，國產(chǎn)芯片的出貨量和替代率近年來迅速飆升。

汽車半導(dǎo)體的飛速發(fā)展，我們就不得不提到由于半導(dǎo)體的發(fā)展而帶來的一些挑戰(zhàn)，特別是測(cè)試行業(yè)的挑戰(zhàn)。

芯片測(cè)試用以評(píng)估芯片的壽命和可能的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)。

中冷低溫研發(fā)的ThermoTST?系列熱流儀有更廣泛的溫度范圍，應(yīng)用廣泛，能滿足更多生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

ThermoTST TS系列高低溫測(cè)試機(jī)有著不同于傳統(tǒng)高低溫箱的獨(dú)特優(yōu)勢(shì): 溫度變化速率快

ThermoTST系列高低溫測(cè)試機(jī)廣泛應(yīng)用于照明級(jí)大功率 ?LED 器件, LED 封裝的可靠性測(cè)試

ThermoTST高低溫測(cè)試機(jī)解決了傳統(tǒng)驗(yàn)證方法缺陷問題，提供快速高低溫沖擊能力，作為一種必要的測(cè)試手段輔助生產(chǎn)通訊模塊

中冷低溫研發(fā)的ThermoTST系列熱流儀-精確的高低溫氣流循環(huán)系統(tǒng)，能夠精確控制熱、冷空氣，應(yīng)用在測(cè)試元器件、混合電路、模塊、PCB和裝配

ThermoTST高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)與傳統(tǒng)高低溫測(cè)試箱存在很多差異，不論是工作原理還是產(chǎn)品特點(diǎn)，都是優(yōu)異于傳統(tǒng)溫箱的

ThermoTST是純機(jī)械制冷，無需液氮或任何其他消耗性制冷劑。

ThermoTST TS580 用于 100G/400G光模塊量產(chǎn)測(cè)試

中國作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者，半導(dǎo)體設(shè)備增速顯著高于全球。

元器件的可靠性是指在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)和規(guī)定的條件下，產(chǎn)品完成規(guī)定功能的能力.

高低溫沖擊氣流儀用于IGBT、傳感器、小型模塊組件，進(jìn)行特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)。

我們公司的隔熱玻璃風(fēng)罩尺寸從 3寸到 7 寸常規(guī)產(chǎn)品可適配于客戶各類產(chǎn)品尺寸，并且可以根據(jù)客戶現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)品尺寸進(jìn)行隔熱風(fēng)罩定制。

冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)TS580搭配長川CTT3600測(cè)試機(jī)應(yīng)用于功率器件特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)

離子注入能精確控制摻雜的濃度分布和摻雜深度，因而適于制作極低的濃度和很淺的結(jié)深

IGBT功率模塊工作在多場(chǎng)耦合的環(huán)境中，封裝狀態(tài)參數(shù)受到多物理場(chǎng)控制。

現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)和監(jiān)測(cè)方式極大地提高了Si基功率模塊工作的穩(wěn)定性

露點(diǎn)換算為ppm按下式計(jì)算：P/1013×104

高低溫沖擊氣流儀 TS560 GPIB通訊（IEE488）完美兼容華峰測(cè)控, 操作簡單.

主流使用的封裝形式有焊接型和壓接型封裝

世界電子測(cè)量行業(yè)已經(jīng)發(fā)展了很多年了，到現(xiàn)在為止，市場(chǎng)高度集中

常用的可測(cè)性設(shè)計(jì)方法包括基于掃描鏈（scan chain）的測(cè)試方法和內(nèi)建自測(cè)試電路。

高低溫沖擊氣流儀搭配ATE進(jìn)行特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)。

為解決高功率密度下 IGBT 功率模塊散熱問題，經(jīng)過多年的發(fā)展，形成了彈簧式和直接接觸式兩種壓接封裝。

可靠性（Reliability）則是對(duì)產(chǎn)品耐久力的測(cè)量,?我們主要典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線（Bathtub Curve）來表示

DFT技術(shù)簡單說就是在芯片設(shè)計(jì)中添加DFT邏輯，然后等芯片制造完成后，通過事先加入的DFT邏輯對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，挑選出沒有問題的芯片。

WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)通常包含該工藝平臺(tái)所有的有源器件和無源器件

WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)通常包含該工藝平臺(tái)所有的有源器件和無源器件

芯片在封裝完畢后，需要進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)，確保交到顧客手中的芯片工作性能的穩(wěn)定性和可靠性。

SOC的設(shè)計(jì)流程，包括數(shù)字電路設(shè)計(jì)前端和后端的全流程。

芯片測(cè)試是確保產(chǎn)品良率和成本控制的重要環(huán)節(jié)，主要目的是保證芯片在惡劣環(huán)境下能完全實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)規(guī)格書所規(guī)定的功能及性能指標(biāo)

MEMS是一種制造技術(shù)，諸如杠桿、齒輪、活塞、發(fā)動(dòng)機(jī)甚至蒸汽機(jī)都是由MEMS制造的。

在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點(diǎn)需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。

在自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)中，通常會(huì)對(duì)函數(shù)發(fā)生器指定幾項(xiàng)具體的規(guī)范，比如上升時(shí)間、帶寬、信號(hào)源阻抗和波幅準(zhǔn)確度。

關(guān)于電阻在電路中的作用，有一些基本常識(shí)，比如電阻作為濾波網(wǎng)絡(luò)的一部分可以減少噪音干擾，或作為衰減器將高電壓信號(hào)引入可接受范圍的連接設(shè)備中。

隨著SiC MOSFET制備技術(shù)的改進(jìn)和驅(qū)動(dòng)問題的解決，其將在電力電子的高頻開關(guān)領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用

PXI—針對(duì)基于PCI/PCIe的模塊化測(cè)試儀器和開關(guān)平臺(tái)的開放式工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

TS-780做可靠性試驗(yàn)不僅減少了器件潛在的各種誤差及失效機(jī)制，還有效地控制和保證器件的可靠性。

與基于硅的功率器件不同的是，SiC的氧化層可靠性試驗(yàn)設(shè)置還必須涵蓋阻斷模式下的穩(wěn)定性

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是構(gòu)建我國戰(zhàn)略科技力量自立自強(qiáng)的核心支撐產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體零部件則是決定我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域

在市場(chǎng)競爭中，測(cè)試開發(fā)和量產(chǎn)測(cè)試是提升芯片設(shè)計(jì)公司的產(chǎn)品競爭力的重要環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體行業(yè)中的地位舉足輕重。

半導(dǎo)體零部件是指在材料、結(jié)構(gòu)、工藝、品質(zhì)和精度、可靠性及穩(wěn)定性等性能方面達(dá)到了半導(dǎo)體設(shè)備及技術(shù)要求的零部件