1.什么是參數(shù)測(cè)試

通常的參數(shù)測(cè)試會(huì)涉及電氣參數(shù)測(cè)試，主要是表征電阻、二極管、晶體管和電容器的參數(shù)特性。實(shí)際的芯片可能涉及非常復(fù)雜的邏輯關(guān)系和結(jié)構(gòu)，由各種各樣的基礎(chǔ)器件進(jìn)行組合。像3nm的芯片的晶體管密度已經(jīng)到達(dá)億/m㎡，這是電子產(chǎn)品性能不斷迭代的核心驅(qū)動(dòng)力。

絕大多數(shù)參數(shù)測(cè)試都包括電流-電壓(IV)測(cè)量或電容-電壓(CV)測(cè)量。一般IV測(cè)量用的是SMU源/測(cè)量單元，CV測(cè)試是使用CMU電容測(cè)試單元。

2.何時(shí)/何處進(jìn)行參數(shù)測(cè)試

參數(shù)測(cè)試的目的是確定半導(dǎo)體制程的特性。概而言之，參數(shù)測(cè)試包括下面三個(gè)主要領(lǐng)域: 工藝開(kāi)發(fā)，器件建模和工藝控制。

前兩項(xiàng)是在實(shí)驗(yàn)室、研發(fā)或試生產(chǎn)環(huán)境進(jìn)行，最后一項(xiàng)則要在制造環(huán)境中進(jìn)行。不同環(huán)境中所使用參數(shù)測(cè)量設(shè)備顯然會(huì)有不同的要求，工藝開(kāi)發(fā)和器件建模可使用臺(tái)式儀器，而生產(chǎn)流程則應(yīng)使用具有高吞吐率的測(cè)試儀。必須了解參數(shù)測(cè)試幾乎從不在最終產(chǎn)品上進(jìn)行。相反，它是在能提供制程本身信息的特定測(cè)試結(jié)構(gòu)上進(jìn)行。參數(shù)測(cè)試總是直接在半導(dǎo)體晶圓片上執(zhí)行。在生產(chǎn)測(cè)試中，參數(shù)測(cè)試結(jié)構(gòu)有時(shí)是位于晶圓片的刻線(xiàn)行或“街道”中，從而盡量減少器件所占的晶圓片面積。通常只是對(duì)參數(shù)測(cè)試結(jié)構(gòu)，而不是對(duì)整個(gè)晶圓片進(jìn)行工藝開(kāi)發(fā)和可靠性測(cè)試。

在生產(chǎn)中，參數(shù)測(cè)試通常是在晶圓片制造過(guò)程完成后 (即已進(jìn)行了鈍化) 和對(duì)產(chǎn)品裸片的電氣性能分選(電分選)前執(zhí)行。

要對(duì)每一批次的每一片晶圓片進(jìn)行測(cè)試，并把數(shù)據(jù)保存到數(shù)據(jù)庫(kù)中。顯然這是洪量的數(shù)據(jù)，可使用各種軟件工具將其處理成各種不同格式的數(shù)據(jù)。一種流行的格式是晶圓片圖，在用標(biāo)量繪制的晶圓片上，它用不同顏色表示數(shù)據(jù)值的不同范圍。

3.參數(shù)測(cè)試儀表可執(zhí)行這類(lèi)參數(shù)測(cè)量的第一種儀器是模擬圖示儀。半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀可執(zhí)行電流-電壓（IV）和電容測(cè)量（CV、C-f、C-t測(cè)量），包括分辨率低至fA（毫微微安培）的小電流測(cè)量和高達(dá)1MHz的CV測(cè)量，并快速、輕松地對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析，完成半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試。半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試是確定半導(dǎo)體器件特征及其制造過(guò)程的一項(xiàng)基礎(chǔ)測(cè)量。

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