隨著科技的發(fā)展，System on Chip（SOC）已經(jīng)成為電子設(shè)備的核心部件。從智能手機(jī)到汽車(chē)電子，SOC無(wú)處不在。然而，保證這些芯片在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和性能，需要進(jìn)行復(fù)雜而嚴(yán)格的測(cè)試。

SOC（System on Chip）是一種將CPU、內(nèi)存、I/O接口等多種功能模塊集成在單一芯片上的系統(tǒng)級(jí)超大規(guī)模集成電路。SOC測(cè)試則是確保這些集成電路在制造和實(shí)際應(yīng)用中能夠正常運(yùn)行的重要步驟。它不僅包括數(shù)字電路的測(cè)試，還涵蓋了模擬電路、存儲(chǔ)器、功耗、電磁干擾等多個(gè)方面。

SOC測(cè)試通常分為以下幾類(lèi)：

1、數(shù)字電路測(cè)試：

· 掃描測(cè)試（SCAN）：通過(guò)掃描鏈將內(nèi)部觸發(fā)器轉(zhuǎn)變?yōu)榭捎^測(cè)的節(jié)點(diǎn)。

· 自動(dòng)測(cè)試向量生成（ATPG）：生成能夠檢測(cè)到電路中所有潛在故障的測(cè)試向量。

· 邏輯內(nèi)建自測(cè)試（LBIST）：利用內(nèi)部生成的偽隨機(jī)測(cè)試向量對(duì)邏輯電路進(jìn)行自測(cè)試。

2、模擬電路測(cè)試：

· DC測(cè)試：檢測(cè)直流參數(shù)如輸入輸出電壓、電流。

· 模擬多路復(fù)用器（MUX）測(cè)試：對(duì)數(shù)模接口信號(hào)進(jìn)行多路選擇測(cè)試。

3、存儲(chǔ)器測(cè)試：

· 內(nèi)建自測(cè)試（MBIST）：對(duì)RAM、ROM等存儲(chǔ)器的內(nèi)部故障進(jìn)行自測(cè)試。

· 存儲(chǔ)器旁路模式測(cè)試：在基本掃描測(cè)試中使用旁路模式對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行覆蓋測(cè)試。

4、 IO測(cè)試：通過(guò)Boundary scan來(lái)測(cè)試IO

· JTAG協(xié)議：通過(guò)IEEE 1149標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)板級(jí)互連線測(cè)試和芯片內(nèi)部IP調(diào)試。

· 邊界掃描寄存器（BSR）：在芯片的輸入輸出引腳上插入掃描寄存器，實(shí)現(xiàn)測(cè)試信號(hào)的可控和可觀測(cè)。

5、功耗測(cè)試：

· 靜態(tài)電流（IDDQ）測(cè)試：測(cè)量芯片在靜態(tài)條件下的電流，以檢測(cè)漏電流和短路故障。

· 低功耗模式測(cè)試：在不同低功耗模式下測(cè)量芯片的電流消耗。

6、電磁干擾測(cè)試：

· 靜電放電（ESD）測(cè)試：通過(guò)人體放電模型（HBM）、機(jī)器放電模型（MM）等方法測(cè)試芯片對(duì)靜電的耐受性。

    SOC測(cè)試是保證芯片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵步驟。隨著SOC集成度的提高，測(cè)試復(fù)雜性也顯著增加，需要更多的測(cè)試向量和時(shí)間。測(cè)試成本占據(jù)芯片制造成本的很大比例，需要通過(guò)優(yōu)化測(cè)試流程和技術(shù)降低成本。隨著低功耗設(shè)計(jì)的普及，需要針對(duì)不同功耗模式進(jìn)行測(cè)試，確保芯片在低功耗模式下的性能。隨著科技的發(fā)展，SOC測(cè)試將不斷進(jìn)步，為芯片制造提供更加高效和可靠的保障。

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