晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被洮汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。一顆設(shè)計(jì)完好的芯片的良率主要受到晶圓制造和封裝環(huán)節(jié)的影響，所以必須要通過(guò)測(cè)試環(huán)節(jié)來(lái)把控芯片質(zhì)量的優(yōu)劣。

     在晶圓制造完成之后，晶圓測(cè)試是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單。在測(cè)試過(guò)程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測(cè)到。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（die sort）或晶圓電測(cè)（wafer sort）。

     半導(dǎo)體測(cè)試主要包括芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)中的設(shè)計(jì)驗(yàn)證、晶圓制造中的晶圓檢測(cè)(CP, Circuit Probing)以及成品測(cè)試(FT, Final Test)，即通過(guò)分析測(cè)試數(shù)據(jù)確定具體失效原因，并改進(jìn)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)以及封測(cè)工藝以提高良率及產(chǎn)品質(zhì)量。無(wú)論是晶圓檢測(cè)還是成品檢測(cè)，要測(cè)試芯片的各項(xiàng)功能指標(biāo)均須完成兩個(gè)步驟：一是將芯片的引腳與測(cè)試機(jī)的功能模塊連接起來(lái)，二是通過(guò)測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)，并檢測(cè)輸出信號(hào)，以判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

     半導(dǎo)體設(shè)備制造一直以來(lái)都具有較高的技術(shù)壁壘，隨著加工面積的縮小，其復(fù)雜程度更是與日俱增，制造難度和研發(fā)投入越來(lái)越高。由于半導(dǎo)體設(shè)備需求與半導(dǎo)體芯片出貨量息息相關(guān)，在 5G、物聯(lián)網(wǎng)等因素的催化下，半導(dǎo)體芯片出貨量維持較 高規(guī)模，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將穩(wěn)步提升，探針臺(tái)市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步提升。未來(lái)幾年隨著半導(dǎo)體產(chǎn)能的擴(kuò)充，設(shè)備需求將隨之增大，國(guó)產(chǎn)探針臺(tái)的占比越來(lái)越高。

     面對(duì)國(guó)內(nèi)乃至全球市場(chǎng)對(duì)于測(cè)試設(shè)備的旺盛需求，中冷一直致力于通過(guò)技術(shù)不斷創(chuàng)新以滿足各種測(cè)試需求：

適用于車規(guī)級(jí)芯片測(cè)試的產(chǎn)品TC200：

     這是一款最低溫取決于所用冷卻液的類型和溫度的冷卻機(jī)，測(cè)試溫度可以控制在-65℃到+200℃之間?？諝鉁囟葹?25oC時(shí)，低溫溫度為+20oC；水溫度為+25oC時(shí)，低溫為+5oC。極限低溫指定在空載時(shí)，卡盤(pán)保持在靜止空氣環(huán)境中，最大溫度為+25℃。當(dāng)卡盤(pán)直徑增大時(shí)，極限低溫可能會(huì)隨著時(shí)間的推移而降低。對(duì)于直徑為200mm的ThermoChuck配置，極限低溫可降低至5oC。冷卻液管路集成、布線和長(zhǎng)度將影響低溫性能。

      該系統(tǒng)因其緊湊的冷卻機(jī)組、極小的占地面積、極低的能耗以及低廉的配套成本將成為各大半導(dǎo)體廠商和實(shí)驗(yàn)室的首選產(chǎn)品。